De la mémoire flash 3D chez Samsung

C'est une annonce très importante que vient de faire Samsung : le fabricant coréen a démarré la production en masse de modules de « 3D Vertical NAND Flash », c'est à dire de la mémoire empilée sur plusieurs couches. Jusqu'ici, les modules de mémoire que nous connaissons utilisent des structures en deux dimensions, ce qui limite leur développement à l'amélioration de ces structures et à l'amélioration de la finesse de gravure. Grâce à cet nouvelle approche, la "V-NAND" permettra une meilleure fiabilité, de meilleurs débits, et surtout de plus grandes capacités.




Après plus de dix ans de recherche et plus de 300 brevets de par le monde, Samsung compte bien se démarquer de ses concurrents avec ces nouveaux modules de mémoire. Il faut dire que sur le papier, la V-NAND est très intéressante : selon Samsung, la fiabilité de la mémoire serait multipliée par un minimum de deux et un maximum de dix par rapport à ce que l'on utilise aujourd'hui. Et parallèlement, les débits seraient doublés ! Alors que les récents modèles de SSD sont déjà extrêmement rapides (voir dépêche : MacBook Pro 2013 : un SSD giga rapide !), voilà qui devrait nous permettre de tenir plusieurs années avant que les débits deviennent insuffisants.

Grâce à cette nouvelle structure, les gains en capacité de la mémoire flash et des modules de SSD seront également plus faciles à obtenir. Si pour le moment Samsung n'annonce que des puces de 16 Go de capacité (ce qui existe déjà), il devrait être beaucoup plus simple de créer des puces de 32 Go avec de la V-NAND qu'avec de la mémoire gravée en deux dimensions. Ainsi, dans un futur proche, on peut raisonnablement s'attendre à une nouvelle baisse massive des prix au giga-octect des SSD et des mémoires embarquées des téléphones et des tablettes. Le MacBook Air avec 1 To de SSD et l'iPhone avec 128 Go de mémoire ne sont peut-être plus si loin...

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