Intel abandonne son modèle Tick Tock


On s'en doutait un peu, mais c'est désormais officiel : Intel laisse tomber son fameux modèle "Tick Tock" qui lui était si cher depuis de nombreuses années. La firme de Santa Clara avait jusqu'ici l'habitude de dévoiler une nouvelle gamme de processeurs par an, avec alternativement une nouvelle finesse de gravure ou une nouvelle architecture. Ce modèle était de plus en plus difficile à respecter depuis une poignée d'années : la finesse de gravure des processeurs devient en effet tellement importante qu'Intel s'approche de limites infranchissables sans revoir complètement le fonctionnement de nos ordinateurs. C'est donc dans un rapport destiné à ses actionnaires que le fondeur explique passer à un modèle composé de trois étapes : nouvelle finesse de gravure, nouvelle architecture et optimisation.


Intel Tick Tock 2016

Après le "Tick" Broadwell il y a deux ans et "Tock" Skylake l'année dernière, nous découvrirons cette année les processeurs Kaby Lake, premiers représentants de cette troisième étape du nouveau modèle de développement d'Intel. Pour le moment, les nouveautés apportées par cette future génération de puces sont encore floues même si quelques éléments ont déjà fuité (lire : De nouveaux détails sur Kaby Lake), mais nous devons donc nous attendre à des évolutions plus modestes qu'avec la nouvelle architecture Skylake, qui doit d'ailleurs débarquer sur de nombreux Macs dans peu de temps (lire : Les Macs devront attendre la WWDC).


Intel Kaby Lake evolution

La prochaine évolution majeure du côté d'Intel sera donc Cannonlake, qui inaugurera la finesse de gravure de 10 nm l'année prochaine (lire : Intel confirme les puces Cannonlake en 2017) et qui permettra de nouveaux records en terme d'économies d'énergie et de dégagement de chaleur. Le passage à une finesse de gravure de 7 nm ne devrait alors pas survenir avant 2020, après deux autres gammes qui devraient porter le nom de Icelake puis Tigerlake.
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Vos réactions (5)

Sethenès

23 mars 2016 à 17:25

@Sylvain : comme tu fais la méprise dans 2 articles, je me permets d'apporter une rectification.

En fait, la physique classique est déjà totalement incapable d'expliquer l'effet transistor basé sur le technologie des semi-conducteurs dopés.

Pour cela, il faut partir d'une répartition des électrons en "couches" qui vont par le nombre former des alternances entre bandes "autorisées" et bandes "interdites". Si l'écart est très faible, comme dans les conducteurs, le simple effet thermique va permettre à un électron de sauter d'une bande autorisée (appelée bande de valence, car c'est la que les électrons de valence se situent) à un autre bande autorisé, la bande de conduction. Ce phénomène crée des paires "électrons-trous" (électron dans la bande de conduction et trou dans la bande de valence). Ces paires vont se déplacer (dans des sens contraire) et ce n'est rien d'autre que du courant électrique.

A l'inverse, les isolants voient leurs bandes de conduction et de valences séparées par un énorme trou (gap) interdit. L'électron ne peut pas sauter. Il n'y a pas de paires électron-trou et le courant ne passe pas.

Les semi-conducteurs, sont entre les deux. La bande interdite peut être franchie sous certaines conditions.

Pour les semi-conducteurs dopés, c'est très simple. Ceux-ci sont dopés soient en éléments ne possédant que 3 électrons (le Silicien en possède 4 comme le carbone). Puisque ces éléments sont en très faibles quantité, ils s'insèrent dans une structure de type Silicium et cela crée évidemment des trous. Tandis que d'autres éléments qui possèdent 5 électrons vont être utilisés pour doper d'autres parties du transistor. Evidemment, avec 5 électrons, il n'y aura pas de trous mais ces électrons vont se trouver naturellement propulsé dans la bande supérieur de conduction.

Si on a tout suivi, il est évident que le courant ne pourra passer que du côté dopé à 5 (des électrons dans la bande de conduction) vers le côté dopé à 3 (des trous "structurels") dans la bande de valence.

Tout ça, c'est du pur quantique. Jamais la physique classique n'a pu, ni ne pourra expliquer cela.

Le problème actuel, c'est (entre autre) que pour avoir des belles bandes autorisée (valence) puis interdite puis autorisée (conduction) il faut mettre ensemble suffisamment d'atomes de silicium afin que les niveaux discrets (les fameuses orbitales atomiques) fusionnent pour former les bandes dont je parle. Trop peu d'atomes, pas de bandes et pas de gap et pas de dopage possible.

Sethenès

23 mars 2016 à 17:33

Voici un schéma illustratif des bandes : http://www.optique-ingenieur.org/fr/cours/OPI_fr_M05_C02/co/Contenu_02.html

Sylvain

23 mars 2016 à 19:14

Merci pour cette contribution Sethenès. Je dois bien avouer que cela vole au-dessus de mes compétences, j'ai une compréhension globale du sujet mais pas de connaissances techniques suffisantes pour éviter certains abus de langage. J'ai modifié ma formulation pour éviter cette confusion.

Sethenès

23 mars 2016 à 20:48

C'est tout droit issu de mon cours de MA1 (enfin ce dont je me rappelle, je l'ai suivi en 1990/1991).

Mais c'est vrai que l'expression "mur quantique" peut donner l'impression que l'obstacle tient à la fin de la validité de la physique dite classique, alors qu'en fait non. Mais en fait non, tous les phénomènes sont quantiques. Dès qu'il est question de niveau d'énergie avec des discontinuité, c'est quantique.

A propos de physique quantique, je vous propose de regarder cette vidéo qui est à la portée de tous et qui montre bien la limite ... https://www.youtube.com/watch?v=1LeoGytJw0k

Gaius

23 mars 2016 à 21:54

Et donc maintenant c'est Tick Tac Tock ?

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